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2020-12-05 10:55:29

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光刻的原理是在硅片表面覆盖一层具有高度光敏感性光刻胶,再用光线(一般是紫外光、深紫外光、极紫外光)透过掩模照射在硅片表面,被光线照射到的光刻胶会发生反应。此后用特定溶剂洗去被照射/未被照射的光刻胶,就实现了电路图从掩模到硅片的转移。

光刻胶国产化全面加速,中国正全力攻坚EUV光刻胶光刻完成后对没有光刻胶保护的硅片部分进行刻蚀,最后洗去剩余光刻胶,就实现了 半导体器件在硅片表面的构建过程。

光刻根据所采用正胶与负胶之分,划分为正性光刻和负性光刻两种基本工艺。在正性光刻中 ,正胶的曝光部分结构被破坏,被溶剂洗掉,使得光刻胶上的图形与掩模版上图形相同。

相反地,在负性光刻中,负胶的曝光部分会因硬化变得不可溶解,掩模部分则会被溶剂洗掉,使得光刻胶上的图形与掩模版上图形相反。光刻工艺的成本约为整个芯片制造工艺的30%,耗时约占整个芯片工艺的40%~50%,是芯片制造中最核心的工艺 。光刻胶的质量和性能是影响集成电路性能、成品率及可靠性的关键因素 。那么什么是光刻胶呢?光刻胶是一类通过光束、电子束、离子束等能量辐射后,溶解度发生变化的耐蚀刻薄膜材料,在集成电路和半导体分立器件的微细加工中有着广泛的应用 。

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20 世纪 50 年代末,Eastman Kodak和 Shipley 公司分别设计出适合半导体工业需要的正胶和负胶。光刻胶难度非常高,光刻胶对分辨率、对比度、敏感度,此外还有粘滞性黏度、粘附性等要求极高。

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目前,中国已经可以量产G线、I线、KrF三大类光刻胶。比如北京科华现代化光刻胶生产线主要以 g 线和 i 线正胶为主,分辨率最高能够达到 350nm 的水平。

目前建成 g/i 线正胶生产线(500 吨/年)和正胶配套试剂生产线(1000 吨/年)目前国家累计拨款2亿人民币,地方政府拨款2亿人民币给南大光电,南大光电是工业园区与南京大学于2000年底合作研发的MO源高新技术产业化企业。

极速飞艇-投注而南大光电通过非公开发行股份募集2亿元人民币,累计6亿项目进行ArF光刻胶项目研发,这种光刻胶可以用于28nm到7nm工艺的先进工艺。目前该项目且已经通过验收等待量产,量产预计需要到2020年底,目前宁波南大光电所建工厂的是该项目配套原材料生产线 。

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